多項(xiàng)選擇題關(guān)于費(fèi)米能級(jí)的說(shuō)法中，正確的有（）。

A.純硅的費(fèi)米能級(jí)位于帶隙正中央
B.摻雜了鋁的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶
C.摻雜了鍺的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近導(dǎo)帶
D.施主型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶


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1.多項(xiàng)選擇題對(duì)于純硅而言，進(jìn)行施主型摻雜以后（）。

A.電子濃度增大
B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級(jí)
C.少子數(shù)量增大
D.施主型載流子濃度就是多子濃度

2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于費(fèi)米分布函數(shù)的說(shuō)法，哪些是正確的？（）

A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%～100%
C.根據(jù)這個(gè)函數(shù)，溫度越高，導(dǎo)帶能級(jí)被占據(jù)的幾率越小
D.費(fèi)米能級(jí)被占據(jù)的幾率是50%

3.多項(xiàng)選擇題絕對(duì)零度時(shí)，純硅中（）。

A.沒(méi)有可動(dòng)空穴
B.沒(méi)有可動(dòng)電子
C.沒(méi)有可動(dòng)載流子
D.沒(méi)有聲子

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于硅中載流子激發(fā)的說(shuō)法中，錯(cuò)誤的有（）。

A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對(duì)零度時(shí)不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度

5.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子濃度會(huì)收到哪些因素的影響？（）

A.復(fù)合過(guò)程與機(jī)理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度