多項選擇題對于純硅而言,進行施主型摻雜以后()。
A.電子濃度增大
B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級
C.少子數(shù)量增大
D.施主型載流子濃度就是多子濃度
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1.多項選擇題關(guān)于費米分布函數(shù)的說法,哪些是正確的?()
A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%~100%
C.根據(jù)這個函數(shù),溫度越高,導(dǎo)帶能級被占據(jù)的幾率越小
D.費米能級被占據(jù)的幾率是50%
2.多項選擇題絕對零度時,純硅中()。
A.沒有可動空穴
B.沒有可動電子
C.沒有可動載流子
D.沒有聲子
3.多項選擇題關(guān)于硅中載流子激發(fā)的說法中,錯誤的有()。
A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對零度時不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
4.多項選擇題半導(dǎo)體中的載流子濃度會收到哪些因素的影響?()
A.復(fù)合過程與機理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
5.多項選擇題導(dǎo)帶電子運動到價帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動
C.帶隙消失
D.也許會適當出熱量
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晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
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題型:判斷題
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題型:填空題
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題型:判斷題
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“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
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題型:判斷題
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題型:判斷題