A.TH>TR
B.TH<TR
C.TH=TR
D.TH≧TR
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.開(kāi)路
B.接地
C.保持
D.不確定
A.為低電平0
B.為高電平1
C.保持原狀態(tài)
D.翻轉(zhuǎn)為新?tīng)顟B(tài)
A.>0
B.>1/3Vcc
C.>1/2Vcc
D.>2/3Vcc
A.<0
B.<1/3Vcc
C.<1/2Vcc
D.<2/3Vcc
A.雙列4腳
B.單列8腳
C.雙列8腳
D.單列4腳
最新試題
?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫(huà)出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?
?TTL或非門(mén)組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()
?CG放大器的性能描述合理的是()。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。