單項(xiàng)選擇題版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行?()
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
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1.單項(xiàng)選擇題如果想在電路圖模式下編輯符號,可以選擇以下哪個(gè)命令?()
A.Descend Edit
B.Descent Read
C.Edit in Place
D.Show Scope
2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于電路的層次,自下向上順序正確的是()。
A.晶體管級別-門級-門級以上
B.門級-門級以上-晶體管級別
C.晶體管級別-門級以上-門級
D.門級-晶體管級別-門級以上
3.單項(xiàng)選擇題展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?()
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
4.單項(xiàng)選擇題用四端器件繪制電路圖時(shí),NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是()。
A.接到源端
B.接到漏端
C.NMOS管襯底接地,PMOS管襯底接電源
D.NMOS管襯底接電源,PMOS管襯底接地
5.單項(xiàng)選擇題在組合電路中,NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯?()
A.非邏輯
B.與邏輯
C.或邏輯
D.異或邏輯
最新試題
光刻時(shí),將掩模版直接放在晶圓表面,與表面的光刻膠接觸,該種光刻方式稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少?()
題型:單項(xiàng)選擇題
反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch?()
題型:單項(xiàng)選擇題
關(guān)于電路的層次,自下向上順序正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜,通常簡寫為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?()
題型:單項(xiàng)選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
為了后續(xù)連接方便,信號端一般用什么圖層引出?()
題型:單項(xiàng)選擇題
一個(gè)四輸入的或非門,一般采用幾個(gè)pitch?()
題型:單項(xiàng)選擇題