單項(xiàng)選擇題一個(gè)四輸入的或非門(mén)，一般采用幾個(gè)pitch？（）
A.3
B.4
C.5
D.6
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你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）
A.1
B.2
C.3
D.4
2.單項(xiàng)選擇題薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
A.< 1000
B.1000-2000
C.2000-3000
D.>3000
3.單項(xiàng)選擇題電源線和地線一般用什么圖層來(lái)畫(huà)？（）
A.active
B.poly
C.metal1
D.metal2
4.單項(xiàng)選擇題為了后續(xù)連接方便，信號(hào)端一般用什么圖層引出?（）
A.active
B.poly
C.metal1
D.metal2
5.單項(xiàng)選擇題版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來(lái)實(shí)現(xiàn)器件連接？（）
A.N-well
B.n-select
C.p-select
D.metal
最新試題
源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一個(gè)四輸入的或非門(mén)，一般采用幾個(gè)pitch？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了后續(xù)連接方便，信號(hào)端一般用什么圖層引出?（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號(hào)，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題