多項(xiàng)選擇題MOS管版圖一般匹配原則有（）。
A.彼此靠近
B.方向一致
C.環(huán)境相同
D.加大尺寸
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1.多項(xiàng)選擇題集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些？（）
A.DRC
B.ERC
C.LVS
D.SVS
2.單項(xiàng)選擇題集成電路再分析軟件其處理的主要對象是（）。
A.GDS II文件
B.實(shí)物芯片照片
C.cadence中繪制的版圖
D.芯片電路圖
3.單項(xiàng)選擇題摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍
最新試題
電源線和地線一般用什么圖層來畫？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型：判斷題
無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。
題型：判斷題
外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。
題型：判斷題
光刻時，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題
源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：單項(xiàng)選擇題