單項選擇題光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。

A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進式


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3.單項選擇題我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)

4.單項選擇題顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

A.負(fù)膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻

5.單項選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)