單項(xiàng)選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
A.有源區(qū)
B.場(chǎng)區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)
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1.單項(xiàng)選擇題氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
2.單項(xiàng)選擇題如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
最新試題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電源線和地線一般用什么圖層來畫？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號(hào)，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題