單項(xiàng)選擇題未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫為（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG


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1.單項(xiàng)選擇題我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

A.場(chǎng)氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)

2.單項(xiàng)選擇題顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。

A.負(fù)膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻

3.單項(xiàng)選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。

A.有源區(qū)
B.場(chǎng)區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)

4.單項(xiàng)選擇題氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。

A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG

5.單項(xiàng)選擇題如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化