單項(xiàng)選擇題反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）
A.1
B.2
C.3
D.4
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1.單項(xiàng)選擇題薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
A.< 1000
B.1000-2000
C.2000-3000
D.>3000
2.單項(xiàng)選擇題電源線和地線一般用什么圖層來畫？（）
A.active
B.poly
C.metal1
D.metal2
3.單項(xiàng)選擇題為了后續(xù)連接方便，信號(hào)端一般用什么圖層引出?（）
A.active
B.poly
C.metal1
D.metal2
4.單項(xiàng)選擇題版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接？（）
A.N-well
B.n-select
C.p-select
D.metal
5.單項(xiàng)選擇題版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）
A.layout
B.schematic
C.symbol
D.以上都不是
最新試題
摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
版圖繪制應(yīng)該在哪個(gè)視圖中進(jìn)行？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題
光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題