問(wèn)答題刻蝕工藝的目的是什么，這個(gè)區(qū)中最常用的設(shè)備是什么？
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域。
3.問(wèn)答題什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量？
4.問(wèn)答題什么是外延層，為什么在硅片上使用它？
5.問(wèn)答題列舉硅片的七種質(zhì)量要求。
最新試題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題