光刻區(qū)，刻蝕區(qū)和離子注入?yún)^(qū)
最新試題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
新的平坦化方法有哪幾個？（）
芯片粘接的工藝過程包括（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）