問(wèn)答題描述場(chǎng)氧化層及其厚度范圍。
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1.問(wèn)答題生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？
2.問(wèn)答題什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝？
3.問(wèn)答題離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么？
4.問(wèn)答題刻蝕工藝的目的是什么，這個(gè)區(qū)中最常用的設(shè)備是什么？
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域。
最新試題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題