最新試題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
光刻工藝對準誤差包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題