問答題摻雜的目的是什么？舉出兩種摻雜方法并比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
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在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
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什么是MOS器件的體效應(yīng)？
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20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
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集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
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