判斷題在熱氧化過程的初始階段,二氧化硅的生長速率由氧化劑通過二氧化硅層的擴散速率決定,處于線性氧化階段。
您可能感興趣的試卷
最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括()。
題型:多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項選擇題
鳥嘴效應造成的不良影響有()。
題型:多項選擇題
CMP的設備構(gòu)成包括()。
題型:多項選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術有幾種?()
題型:單項選擇題
消除鳥嘴效應的方法有()。
題型:多項選擇題