填空題（）提出IC設(shè)想--集成電路，由此獲得諾貝爾獎(jiǎng)，標(biāo)志著數(shù)字時(shí)代的來(lái)臨。
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4.多項(xiàng)選擇題以下為封裝外型的為：（）。
A.DIP
B.QFP
C.BGA
D.CSP
5.多項(xiàng)選擇題以下屬于光刻工藝的為：（）。
A.光刻膠涂覆
B.曝光
C.顯影
D.腐蝕
最新試題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來(lái)到大眾視線
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整，而BGA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題