問答題常見的終點檢測設(shè)備有那些？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問答題干法刻蝕是如何分類和定義的？
2.問答題光刻設(shè)備主要有那些？
3.問答題后光刻時代有那些光刻新技術(shù)？
4.問答題紫外光的常見曝光方法有那些？
5.問答題簡述光刻膠的成分特征。
最新試題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題