問答題后光刻時(shí)代有那些光刻新技術(shù)？
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題