問答題
如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識別并描述每個工藝步驟。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.多項選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
3.單項選擇題離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。
A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應(yīng)
D. 溝道效應(yīng)
4.單項選擇題雜質(zhì)在硅晶體中的擴散機制主要有兩種，分別是間隙式擴散機制和替代式擴散機制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。
A. 激活雜質(zhì)后
B. 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運動
C. 預(yù)淀積
D. 高溫多步退火
5.單項選擇題刻蝕是用化學(xué)方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標是（）。
A. 有選擇地形成被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀
B. 在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形
C. 變成刻蝕介質(zhì)以形成一個凹槽
D. 在大于3微米的情況下，混合發(fā)生化學(xué)作用與物理作用