多項(xiàng)選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。

A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。


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3.單項(xiàng)選擇題刻蝕是用化學(xué)方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標(biāo)是（）。

A. 有選擇地形成被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀
B. 在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形
C. 變成刻蝕介質(zhì)以形成一個凹槽
D. 在大于3微米的情況下，混合發(fā)生化學(xué)作用與物理作用

4.單項(xiàng)選擇題浸入式光刻技術(shù)可以使193nm光刻工藝的最小線寬減小到45nm以下。它通過采用折射率高的液體代替透鏡組件間的空氣，達(dá)到（）的目的。

A.增大光源波長；
B.減小光源波長；
C.減小光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑；
D.增大光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑。