半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.04.23)
來源：考試資料網(wǎng)1.問答題對凈化間做一般性描述。
參考答案：凈化間是硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如顆粒、金屬、有機(jī)分子和靜電釋放（ESD.的玷污。一般來講，那意味著這些玷污在...
2.問答題例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。
3.問答題缺陷顯示的意義？
參考答案：顯示漩渦缺陷，檢測體層錯，位錯，晶體原有的滑移，摻雜劑或雜志濃度周期性變化形成的電阻率條紋等。
參考答案：
正光刻膠和負(fù)光刻膠；負(fù)光刻膠。
5.名詞解釋敏化劑
參考答案：
用以提高混合炸藥起爆感度的物質(zhì)。
6.問答題在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
參考答案：
一，將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中
二，在后續(xù)工藝中，保護(hù)下面的材料
7.名詞解釋輸出電導(dǎo)
參考答案：
集電極電流對C-E兩端電壓的微分之比。
8.名詞解釋短路電流
參考答案：太陽能電池兩端直接相連時的電流。
參考答案：（1）瞬態(tài)法，也稱穩(wěn)態(tài)法，這類方法有光電導(dǎo)衰退法
（2）穩(wěn)態(tài)法，也稱間接法，這類方法主要有擴(kuò)散長度法和光磁法.
（2）穩(wěn)態(tài)法，也稱間接法，這類方法主要有擴(kuò)散長度法和光磁法.
