微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.11)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡單敘述微電子學(xué)對人類社會的作用？

參考答案：可以毫不夸張地說，沒有微電子技術(shù)的進步，就不可能有今天信息技術(shù)的蓬勃發(fā)展，微電子已經(jīng)成為整個信息社會發(fā)展的基石。隨著微電...

2.問答題說明工藝及產(chǎn)品趨勢

3.判斷題當(dāng)對PN結(jié)外加正向電壓時，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度大；當(dāng)對PN結(jié)外加反向電壓時，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度小。

4.填空題當(dāng)集電結(jié)反偏增加時，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。

參考答案：變寬；變窄；增大；即厄爾利效應(yīng)

5.問答題列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個重要趨勢，簡要描述每個趨勢。

參考答案：提高芯片性能：器件做得越小，在芯片上放置得越緊密，芯片的速度就會提高。
提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趨于芯...

6.問答題生長氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

參考答案：在升溫環(huán)境里，通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng)，可以在硅片上得到一層熱生長的氧化層；沉積的氧化層可以通過外部供給氧氣...

7.問答題列舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。

1.離子源
2.引出電極和離子分析器
3.加速管
4.掃描系統(tǒng)
5.工藝室

8.填空題為了降低臺階高度對金屬互連線的影響，在沉積金屬層前必須對圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

參考答案：回流；化學(xué)機械拋光；硼硅玻璃（BSG）、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）

9.問答題解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/a>

參考答案：載流子漂移（電流）和擴散（電流）過程保持平衡（相等），形成自建場和自建勢在PN結(jié)上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一...

10.問答題簡述濕法腐蝕相比干法刻蝕的優(yōu)點

（1）對材料具有高的選擇比
（2）不會對器件帶來等離子體損傷
（3）設(shè)備簡單