微電子學填空題每日一練(2020.03.15)

來源：考試資料網

1.填空題在PN結開關管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r間內，會出現(xiàn)一個較大的反向電流。引起這個電流的原因是存儲在（）區(qū)中的（）電荷。這個電荷的消失途徑有兩條，即（）和（）。

2.填空題氧化時（）稱為分凝效應。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

3.填空題前烘的目的是（）使膠膜中的溶劑只有初始濃度的（）。從而，使膠的（）性能穩(wěn)定。對正膠，前烘過度會使非曝光區(qū)的膠（）；前烘不足，會使膠的感光度（），對比度（），線條邊緣不陡直。所以，必須嚴格控制前烘的（）和（）。

4.填空題擴散系統(tǒng)主要有以下四部分組成：（）

5.填空題 Si襯底上熱氧化的機理由（）模型確定。氧化反應的快慢與三個因素有關，即：（）。氧化層厚度的理論計算公式為：式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時間修正系數(shù)。