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問(wèn)答題為什么晶體晶格離子注入工藝后需要高溫退火？使用RTA退火有什么優(yōu)點(diǎn)？

1.問(wèn)答題離子注入后的RTA流程

1、晶圓進(jìn)入
2、溫度急升
3、溫度趨穩(wěn)
4、退火
5、晶圓冷卻
6、晶圓退出

2.問(wèn)答題氮化硅在IC芯片上的用途

3.問(wèn)答題影響擴(kuò)散工藝中雜質(zhì)分布的因素

1、時(shí)間與溫度，恒定表面源主要是時(shí)間。
2、硅晶體中存在其他類(lèi)型的點(diǎn)缺陷

4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述柵氧化層生長(zhǎng)的典型干法氧化工藝流程

5.問(wèn)答題列舉IC芯片制造過(guò)程中熱氧化SiO₂的用途？

1、原生氧化層
2、屏蔽氧化層
3、遮蔽氧化層
4、場(chǎng)區(qū)和局部氧化層
5、襯墊氧化層
6、犧牲氧化層
7、柵極氧化層
8、阻擋氧化層