采用CF4作為氣體源對SiO2進行刻蝕，在進氣中分別加入O2或H2對刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進氣量的增加，對Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？
最新試題
什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
光學光刻中影響圖像質量的兩個重要參數是什么？
哪種化學氣體經常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。
例舉并描出旋轉涂膠的4個基本步驟。
描述曝光波長和圖像分辨率之間的關系。
光刻中采用步進掃描技術獲得了什么好處？
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。
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