問(wèn)答題畫出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning(SADP)的工藝流程圖。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
3.問(wèn)答題什么是光刻中常見(jiàn)的表面反射和駐波效應(yīng)?如何解決?
4.問(wèn)答題典型的光刻工藝主要有哪幾步?簡(jiǎn)述各步驟的作用。
最新試題
描述電子回旋共振(ECR)。
題型:?jiǎn)柎痤}
例出光刻的8個(gè)步驟,并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型:?jiǎn)柎痤}
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
解釋什么是暗場(chǎng)掩模板?
題型:?jiǎn)柎痤}
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型:?jiǎn)柎痤}
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處?
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型:?jiǎn)柎痤}