最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現廢品？（）
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
光刻工藝對準誤差包括（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。