最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）