在半導(dǎo)體中加入微量的其他元素的原子，可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型。
當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化，從而漏電流略有增加。
溝道長度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級物理效應(yīng)，如閾值電壓的變化。
最新試題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
光刻工藝的特點包括（）。