A.開槽釋放應力
B.砌體的應力一應變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應小于0.62m,垂直方向凈距不應小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機布置的,n個測點,在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點(試件)
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為6~10mm
D.下列部位不應布設測點:門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體;獨立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()