A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊
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A.開槽釋放應(yīng)力
B.砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測區(qū)隨機(jī)布置的,n個(gè)測點(diǎn),在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測點(diǎn)(試件)
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6~10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測點(diǎn):門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體;獨(dú)立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
可用作硅片的研磨材料是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。