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問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入的原理？

1.問(wèn)答題為什么要引入離子注入技術(shù)，離子注入技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)？

2.問(wèn)答題影響擴(kuò)散速率的因素有哪些？

①晶體內(nèi)雜質(zhì)濃度梯度；
②環(huán)境溫度；
③雜質(zhì)本身結(jié)構(gòu)、性質(zhì)；
④晶體襯底的結(jié)構(gòu)。

3.問(wèn)答題擴(kuò)散的方式有哪三種？

①填隙式擴(kuò)散
②替位式擴(kuò)散
③填隙-替位式擴(kuò)散

4.問(wèn)答題說(shuō)明用于硅中擴(kuò)散常見(jiàn)的固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)源。

5.問(wèn)答題描述等離子體刻蝕和干法去膠的原理