①晶體內(nèi)雜質(zhì)濃度梯度; ②環(huán)境溫度; ③雜質(zhì)本身結(jié)構(gòu)、性質(zhì); ④晶體襯底的結(jié)構(gòu)。
①填隙式擴散 ②替位式擴散 ③填隙-替位式擴散
最新試題
互連工藝中AL的制備可選用()。
新的平坦化方法有哪幾個?()
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
CMP的設備構(gòu)成包括()。
影響封裝芯片特性的溫度有()。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關?()
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。