判斷題共源共柵電流源可以抑制溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。
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2.單項(xiàng)選擇題如果編譯器沒(méi)有進(jìn)行特殊處理，那么size of A的大小為（）。
A.0
B.4
C.8
D.12
3.單項(xiàng)選擇題權(quán)限為755的文件，下列哪個(gè)是正確的權(quán)限位標(biāo)記？（）
A.-rwxrwxrwx
B.-rw-r-xr-x
C.-rwxr-xr-x
D.-rwxrw-r-x
4.單項(xiàng)選擇題（）工藝就是往晶圓片中注入離子，生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體的工藝。
A.氧化
B.摻雜
C.光刻
D.蝕刻
5.單項(xiàng)選擇題集成電路制造過(guò)程中，把版圖轉(zhuǎn)移到晶圓的過(guò)程叫（）。
A.設(shè)計(jì)規(guī)則
B.封裝
C.光刻
D.測(cè)試
最新試題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題