多項(xiàng)選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用?()
A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層
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1.單項(xiàng)選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好?()
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積
2.單項(xiàng)選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是()。
A.引晶(下種)
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
3.多項(xiàng)選擇題硅片制備最先進(jìn)的拋光工藝是()。
A.化學(xué)拋光
B.機(jī)械拋光
C.化學(xué)機(jī)械拋光
D.CMP
4.多項(xiàng)選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級多晶硅的純度是()。
A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個(gè)N
5.多項(xiàng)選擇題相對于其他半導(dǎo)體,硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在()。
A.工藝最先進(jìn)
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大
最新試題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
載帶自動焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型:判斷題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題