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填空題由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題（）。

1.填空題由于柵氧化層中通常帶（）電荷，所以（）型區(qū)比（）型區(qū)更容易發(fā)生反型。

2.填空題P溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

3.填空題N溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

4.填空題對(duì)高頻晶體管結(jié)構(gòu)上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

5.填空題晶體管的高頻小信號(hào)等效電路與直流小信號(hào)等效電路相比，增加了三個(gè)元件，它們是（）、（發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容）和（）。