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填空題P溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

1.填空題N溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

2.填空題對(duì)高頻晶體管結(jié)構(gòu)上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

3.填空題晶體管的高頻小信號(hào)等效電路與直流小信號(hào)等效電路相比，增加了三個(gè)元件，它們是（）、（發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容）和（）。

4.填空題晶體管的高頻優(yōu)值M是（）與（）的乘積

5.填空題基區(qū)渡越時(shí)間是指（）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時(shí)，基區(qū)渡越時(shí)間增大到原來的（）倍。