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化學(xué)氣相淀積（cvd） 電鍍 物理氣相淀積（pvd或濺射） 蒸發(fā) 旋涂方法
是冷壁系統(tǒng)
最新試題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
新的平坦化方法有哪幾個？（）
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。