1.電阻率的減小。 2.減小了功耗。 3.更高的集成密度。 4.良好的抗電遷徙性能。 5.更少的工藝步驟。
1.離子源 2.引出電極和離子分析器 3.加速管 4.掃描系統(tǒng) 5.工藝室
最新試題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
互連工藝中AL的制備可選用()。
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標?()
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
芯片粘接的工藝過程包括()。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
光刻工藝對準誤差包括()。
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。