1.電阻率的減小。 2.減小了功耗。 3.更高的集成密度。 4.良好的抗電遷徙性能。 5.更少的工藝步驟。
1.離子源 2.引出電極和離子分析器 3.加速管 4.掃描系統(tǒng) 5.工藝室
最新試題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
芯片粘接的工藝過程包括（）。
光刻工藝的特點包括（）。
常壓的硅外延方法有（）。
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。