單項(xiàng)選擇題我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
A.負(fù)膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻
2.單項(xiàng)選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)
3.單項(xiàng)選擇題氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
4.單項(xiàng)選擇題如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
最新試題
關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。
題型：判斷題
如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
題型：單項(xiàng)選擇題