多項選擇題CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅


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1.多項選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結(jié)隔離
D.介質(zhì)隔離

2.單項選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金

5.單項選擇題在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

A.溝道效應(yīng)
B.鳥嘴效應(yīng)
C.寄生效用
D.閂鎖效應(yīng)