單項(xiàng)選擇題為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
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1.單項(xiàng)選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕
2.單項(xiàng)選擇題在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
A.溝道效應(yīng)
B.鳥(niǎo)嘴效應(yīng)
C.寄生效用
D.閂鎖效應(yīng)
3.單項(xiàng)選擇題光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱(chēng)為（）。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進(jìn)式
4.單項(xiàng)選擇題源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴(kuò)散
5.單項(xiàng)選擇題未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫(xiě)為（）。
A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
最新試題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
無(wú)論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線(xiàn)性電容。
題型：判斷題
光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題
以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS電路是通過(guò)有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。
題型：判斷題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來(lái)實(shí)現(xiàn)器件連接？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題