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判斷題側墻用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。

1.判斷題離子注入能夠重復控制雜質的濃度和深度，因而在幾乎所有應用中都優(yōu)于擴散。

2.判斷題熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。

3.判斷題在各向同性刻蝕時，薄膜的厚度應該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠小于薄膜厚度，則必須采用各向異性刻蝕。

4.判斷題外延生長過程中雜質的對流擴散效應，特別是高濃度一側向異側端的擴散，不僅使界面附近濃度分布偏離了理想情況下的突變分布而形成緩變，且只有在離界面稍遠處才保持理想狀態(tài)下的均勻分布，使外延層有效厚度變窄。

5.判斷題曝光波長的縮短可以使光刻分辨率線性提高，但同時會使焦深線性減小。如果增大投影物鏡的數值孔徑，那么在提高光刻分辨率的同時，投影物鏡的焦深也會急劇減小，因此在分辨率和焦深之間必須折衷。