最新試題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題