問(wèn)答題試對(duì)比分析擴(kuò)散工藝和離子注入工藝的特征和特點(diǎn)。
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1.問(wèn)答題什么是離子注入的溝道效應(yīng)?消除溝道效應(yīng)的途徑有哪些?
2.問(wèn)答題請(qǐng)闡述擴(kuò)散的局限性。
3.問(wèn)答題實(shí)際氧化工藝為什么要采用先干氧、再濕氧、最后再干氧的氧化方法?
4.問(wèn)答題為什么氧化層厚度越厚,熱氧化生長(zhǎng)的速率越慢?
5.問(wèn)答題Si片定位邊或定位槽的作用是什么?
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濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
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互連工藝中AL的制備可選用()。
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硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
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