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填空題快速熱處理設備（RTP）的主要熱交換機制是（），常用熱源是（）。RTP的主要優(yōu)點是（）。

1.填空題CMOS工藝中，阱注入的計量為（）量級；源、漏注入的劑量為（）量級；開啟調整的注入劑量為（）量級；場注入的的劑量為（）量級；離子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入計量為（）量級。

2.填空題淺結制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結比（）型淺結更難制備。P型淺結常用（）、（）、（）來獲得。

3.填空題為了降低注入離子對襯底由于熱沉積產生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時一般用（）方式注入。

4.填空題離子注入機的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

5.填空題（）稱為溝道效應，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。