<meter id="ldupm"></meter>
①晶體內(nèi)雜質(zhì)濃度梯度； ②環(huán)境溫度； ③雜質(zhì)本身結構、性質(zhì)； ④晶體襯底的結構。
①填隙式擴散 ②替位式擴散 ③填隙-替位式擴散
最新試題
CMP的設備構成包括（）。
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
光刻工藝的設備核心是（）。
目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
光刻工藝對準誤差包括（）。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
