半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.05.10)

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1.填空題外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

參考答案：化學(xué)氣相；液相；原子束外延

2.判斷題遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

3 硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。

4.判斷題在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們?cè)陔娦阅苌舷嗷ソ^緣。（）

5.判斷題表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）

6.填空題半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類型。一種是（），另一種是（）。

參考答案：電子；空穴

7 腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

8.填空題對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

參考答案：邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)

9.判斷題低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

10.判斷題厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）